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一种实现阈值电压调节的薄膜晶体管及制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-08 发布于四川
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一种实现阈值电压调节的薄膜晶体管及制备方法.pdf

    本发明公开了一种实现阈值电压调节的薄膜晶体管及制备方法，制备方法包括：提供衬底，在所述衬底上形成二维材料薄膜层；对所述二维材料薄膜层进行第一种掺杂类型的掺杂；在所述衬底上形成由掺杂后的所述二维材料薄膜层形成的沟道区，以形成薄膜晶体管；其中，在对所述二维材料薄膜层进行掺杂时，通过控制掺杂量，实现对形成后的薄膜晶体管的阈值电压的前置调节。本发明制备工艺简单稳定，有利于针对多种大面积二维材料薄膜层的掺杂，且与CMOS工艺兼容，有利于大规模量产。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116230550 A (43)申请公布日 2023.06.06 (21)申请号 202211412472.9 (22)申请日 2022.11.11 (71)申请人 上海集成电路制造创新中心有限公

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