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一种基于边缘光抑制阵列的并行直写装置和方法.pdfVIP

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  • 2023-06-08 发布于四川
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一种基于边缘光抑制阵列的并行直写装置和方法.pdf

    本发明公开一种基于边缘光抑制阵列的并行直写装置和方法，该装置可产生N×N强度独立可控的高质量PPI阵列，每个PPI刻写点由干涉点阵暗斑和激发光重合而成，具有高通量超分辨刻写的能力。装置主要包括两路光：一路光通过四光束干涉产生等强度等间距的光斑点阵，点阵暗斑用作涡旋抑制光；另一路光通过MLA产生N×N激发光点阵，同时通过SLM和DMD分别调控各激发光的位置和强度，实现涡旋光阵列与激发光点阵精密重合且刻写点大小独立可控。该装置与方法通过产生相同刻写点大小的PPI阵列，可进行高均匀度三维结构的高通量超

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112859534 A (43)申请公布日 2021.05.28 (21)申请号 202011638382.2 (22)申请日 2020.12.31 (71)申请人 之江实验室 地址 3

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