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一种碳化硅粉料的合成及处理方法.pdfVIP

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  • 2023-06-08 发布于四川
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一种碳化硅粉料的合成及处理方法.pdf

    本申请公开了一种碳化硅粉料合成及处理方法，其特点在于利用组合的隔离层减轻合成中心区域粉料的碳化程度，改善粉料品质均匀性。所述方法包括如下步骤:1.按照合成坩埚内壁的形状，配置相应的柱状的隔离筒和隔离板。在隔离筒的内侧填充碳、硅源混合物等一次碳化硅粉料的合成原料，在隔离筒的外侧即近坩埚一侧填充β‑SiC。在一次合成原料间利用石墨板等创造隔层，进行温区改善。粉料全部填充完成后，抽出隔离筒，装配反应温场，进行合成。2.进行一般的自蔓延合成反应。3.进行工装辅助下的取料操作。相比同类碳化改善的专利方法，

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112850713 A (43)申请公布日 2021.05.28 (21)申请号 202010517200.X (22)申请日 2020.06.09 (71)申请人 北京世纪金光半导体有限公司

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