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本发明涉及一种GaN晶体管漏源极间瞬变电压测试电路和方法。电路包括用于提供测试瞬变电压信号的测试电源、与被测GaN晶体管串联构成测试单元且用于调节尖峰电压值的尖峰调节电阻、连接在测试电源与测试单元之间而用于控制电路通断的开关模块。电路还可以包括并联在测试电路两端并用于为被测GaN晶体管提供电压泄放通路的电荷泄放模块。方法分别由上述电路实施，启动测试电源并令开关模块导通，使得瞬变电压及尖峰电压加载在被测GaN晶体管的漏极和源极之间，从而对被测GaN晶体管进行测试，测试完毕后可通过电荷泄放模块释放电
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116224002 A
(43)申请公布日 2023.06.06
(21)申请号 202211630968.3
(22)申请日 2022.12.19
(71)申请人 润新微电子（大连）有限公司
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