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- 2023-06-08 发布于四川
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一种声表面波晶片级封装包括：基板；叉指式换能器(IDT)电极，其形成在所述基板上；连接电极，其电连接到所述IDT电极；侧壁，其形成在所述基板上并且在所述IDT电极外部；盖，其形成在所述侧壁和所述IDT电极的上方，与所述侧壁一起在所述IDT电极上形成腔；连接端子，其电连接到所述连接电极并在所述盖的上方突出；第一增强层，其形成在所述盖上，在垂直方向上至少部分地与所述腔重叠；第二增强层，其形成为覆盖所述盖和所述第一增强层，并且具有形成在与所述连接端子相对应的部分和与所述第一增强层相对应的部分中的孔；以
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112865739 A
(43)申请公布日 2021.05.28
(21)申请号 202011355746.6
(22)申请日 2020.11.27
(30)优先权数据
10-2019-0
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