具对称双势垒层的磁性隧道结结构及磁性随机存储器.pdfVIP

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2023-06-08 发布于四川
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具对称双势垒层的磁性隧道结结构及磁性随机存储器.pdf

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本申请提供一种具双势垒层结构的磁性隧道结结构及磁性随机存储器，所述磁性隧道结结构包括双层自由层结合反铁磁耦合结构设计，结合设置于自由层上下两侧的双势垒层及延伸的对称结构。本申请通过对称结构设计与双自由层设计，有助提升热稳定性。通过双势垒层设计，在不增幅总体电阻面积的同时保持稳定且足够的隧穿磁阻率。通过反铁磁耦合调控层实现两自由层的反铁磁耦合，有效地增加总磁矩的垂直各向异性，并降低在自旋激化写电流下的翻转过程中出现的退磁场，从而能够在保证热稳定性条件下降低临界电流。非常有利于MRAM电路读/写性能

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112864306 A (43)申请公布日 2021.05.28 (21)申请号 20191