半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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2023-06-08 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

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一种半导体结构及其形成方法，提供衬底，衬底上具有鳍部，鳍部沿第一方向延伸，鳍部上包括多个第一区和至少一个第二区，第二区位于相邻的两个第一区之间；在衬底上形成第一隔离层，第一隔离层覆盖鳍部部分侧壁，第一隔离层表面低于鳍部顶部表面；在各第一区上分别形成横跨鳍部的第一栅极结构、以及位于第一栅极结构两侧鳍部中的源漏掺杂区，第一栅极结构覆盖鳍部部分侧壁与顶部表面；在第二区内形成第二隔离层，第二隔离层沿第二方向贯穿鳍部；在第二隔离层上形成第二栅极结构。通过在第二隔离层上形成第二栅极结构，利用第二栅极结构中的

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112864016 A (43)申请公布日 2021.05.28 (21)申请号 20191