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- 2023-06-08 发布于四川
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本发明涉及薄膜体声波滤波器工艺技术领域,具体涉及一种低温漂薄膜体声波滤波器的膜层结构及制备方法,包括硅晶圆衬底,所述硅晶圆衬底的中央开设有空腔,在所述硅晶圆衬底上依次制备下电极、压电层、上电极1、温补层、上电极和保护层,所述温补层设置于上电极1和上电极之间,且温补层包裹于上电极1。采用复合上电极的膜层结构,在常规上电极中插入温补层,进而影响压电材料的取向变差,使压电材料的有效机电耦合系数下降;复合上电极不影响压电层的取向和有效机电耦合系数,可降低对薄膜体声波滤波器性能的影响。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112865743 A
(43)申请公布日 2021.05.28
(21)申请号 202110017097.7
(22)申请日 2021.01.07
(71)申请人 中国电子科技集团公司第二十六研
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