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本发明公开了一种晶圆溅射后光刻胶的剥离方法，包括如下步骤：提供一种半导体结构，所述半导体结构包括需在大于或等于3um的台阶上做电极的晶圆；电极溅射前，在晶圆正面进行多次匀胶后，再进行一次曝光、显影，在晶圆表面形成设定厚度的光刻胶图形；光刻后溅射金属制作欧姆接触的电极层；采用加热后的丙酮浸泡晶圆，用于软化电极溅射后的光刻胶；采用常温丙酮浸泡并超声晶圆，同时水平晃动晶圆进行电极剥离；剥离完成后对晶圆清洗干燥。采用本发明的方法使得电极溅射后的光刻胶能较容易的被剥离掉，提高了晶圆电极溅射后剥离作业效率的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116224732 A
(43)申请公布日 2023.06.06
(21)申请号 202310131700.3
(22)申请日 2023.02.15
(71)申请人 武汉光安伦光电技术有限公司
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