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一种基于氧化铌选通管的1S1R器件及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-08 发布于四川
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一种基于氧化铌选通管的1S1R器件及其制备方法.pdf

    本发明提供了一种基于氧化铌选通管的1S1R器件及其制备方法，该器件包括底电极、转换层、阻变层和顶电极；其中，阻变层的材料为氮化硅、氧化硅、氧化镍、氧化铪和氧化钛薄膜材料中的一种。本申请的基于氧化铌选通管的1S1R器件，阻变层的材料为氮化硅、氧化硅、氧化镍、氧化铪和氧化钛薄膜材料中的一种，采用的这些材料的电学性质非常稳定，将基于这两类材料的功能层直接堆叠集成制备得到的1S1R器件性能稳定，拥有稳定的SET电压和RESET电压，以及明显的存储窗口，基于这些材料制得的1S1R器件具有1S1R的电学性能

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112885868 A (43)申请公布日 2021.06.01 (21)申请号 202110149898.9 (22)申请日 2021.02.03 (71)申请人 湖北

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