半导体器件的制备方法.pdfVIP

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2023-06-08 发布于四川
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半导体器件的制备方法.pdf

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本发明涉及一种半导体器件的制备方法，半导体器件的制备方法包括：提供一衬底和位于衬底表面的介质层，介质层具有开口，开口显露出衬底，显露的衬底的表面形成有第一氧化层；去除第一氧化层；于显露的衬底表面形成接触层，接触层的表面形成有第二氧化层；去除第二氧化层；于开口内填充互连材料层。上述半导体器件的制备方法，于显露的衬底表面形成接触层来降低接触电阻，而且去除显露的衬底表面生成的第一氧化层和接触层表面生成的第二氧化层，防止由于第一氧化层和第二氧化层存在导致接触电阻增大，避免出现断路，使得器件良率提升。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112864085 A (43)申请公布日 2021.05.28 (21)申请号 20191