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一种高光电化学性能的氧化亚铜薄膜及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-08 发布于四川
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一种高光电化学性能的氧化亚铜薄膜及其制备方法.pdf

    本发明公开了一种高光电化学性能的氧化亚铜薄膜及其制备方法。选择可溶性铜盐、乳酸盐溶液和氢氧化钠溶液为原料配置成沉积溶液；利用三电极电化学池在导电玻璃上进行薄膜沉积；将三电极插入沉积溶液，50℃‑70℃下恒温30分钟；调节pH范围在9.0‑12.0之间，沉积时间控制在20分钟～60分钟；将得到的薄膜清洗并干燥；随后，将薄膜在120℃～150℃通风条件下除炭处理1小时，再将薄膜在250℃～400℃下退火烧结2小时。本发明制备的氧化亚铜薄膜均匀致密无开裂，且有较高的光电化学性能。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112853423 A (43)申请公布日 2021.05.28 (21)申请号 202110025207.4 (22)申请日 2021.01.08 (71)申请人 浙江理工大学 地址

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