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- 2023-06-08 发布于四川
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本发明涉及基于CMOS传感器的抗强光三维捕捉方法，包括：调整所述镜头的黑电平的值，并获取每一个调整情况对应的拍摄图像的灰度值的变化；根据每一个调整情况对应的拍摄图像的灰度值的变化，得到并记录调整系数kb；获取CMOS传感器的每个像素接收到的目标物体反射的环境光产生的电平值，根据所述调整系数kb调整黑电平值至低于所述环境光产生的电平值；确定最终的模拟增益的数值，进行三维捕捉。本发明通过将黑电平的值调整至稍稍低于环境光本身产生的电平，便可将环境光的影响降至最低，进而可以增加模拟增益或增加曝光时间给投
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112866596 A
(43)申请公布日 2021.05.28
(21)申请号 202110025291.X
(22)申请日 2021.01.08
(71)申请人 跨维（广州）智能科技有限公司
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