一种掺杂碳化硅单晶及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-08 发布于四川
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一种掺杂碳化硅单晶及其制备方法.pdf

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本发明提供了一种掺杂碳化硅单晶及其制备方法，属于晶体生长技术领域，本发明提供的制备方法，将碳化硅结晶物料在籽晶、混合气氛下进行结晶生长；所述混合气氛包括载气和掺杂气体；所述混合气氛的流量为10～500sccm；所述载气和掺杂气体的体积比为(1～50)：1。在本发明中，碳化硅结晶物料在结晶生长的过程中会分解为气相组分，这些气相组分在温度梯度及浓度梯度的驱动下传输至籽晶表面，在籽晶表面冷却沉积；在此过程中，载气和掺杂气体的通入，能够使掺杂气体同生长组分一起生长，进而使掺杂元素进入晶体的晶格中，实现均

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112853491 A (43)申请公布日 2021.05.28 (21)申请号 202011621835.0 (22)申请日 2020.12.31 (71)申请人山西烁科晶体有限公司