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本发明提出一种接触孔自对准低压场效应晶体管的制作方法，本发明减少了栅结晶间的距离，传统的器件，两个栅结晶间需要有接触孔，接触孔到trenchgate间需要一定的距离，本发明接触孔和gatetrench自对准，上下隔离，有效减少了栅结晶间的距离；本发明沟槽尺寸固定，减少刻蚀负载效应影响，提高击穿电压及导通电阻性能；利用polyrecess形成的接触孔，以及刻蚀对Si3N4和BPSGILD不同的选择比来实现接触孔自对准从而实现trenchMOSpitch缩小1/2～1/3，提高产品Ron性
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112864238 A
(43)申请公布日 2021.05.28
(21)申请号 202110255968.9
(22)申请日 2021.03.09
(71)申请人 上海
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