在Hastelloy合金基带上制备CeO2薄膜的方法.pdfVIP

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2023-06-08 发布于四川
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在Hastelloy合金基带上制备CeO2薄膜的方法.pdf

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本发明公开了一种在Hastelloy合金基带上制备CeO2薄膜的方法，其在氧氛围下，对Hastelloy合金基带进行退火处理，退火处理条件为：升温速率为0.7‑55℃/s，升温至850‑900℃，恒温5‑30min，然后自然冷却至室温；然后在经退火处理的Hastelloy合金基带表面制备CeO2薄膜。本发明方法通过对Hastelloy合金基带进行预处理，使其表面生成以NiO为主的金属氧化物薄膜，改善其表面环境，从而创造出适宜CeO2薄膜择优取向的条件，解决了以往方法所生长的CeO2薄膜多为(11

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116219356 A (43)申请公布日 2023.06.06 (21)申请号 202211654613.8 (22)申请日 2022.12.22 (71)申请人南宁师范大学地址 5