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形成半导体结构的方法.pdfVIP

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  • 2023-06-08 发布于四川
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形成半导体结构的方法.pdf

    本发明公开了一种形成半导体结构的方法，包括以下步骤：在底金属上形成介电堆叠。在介电堆叠上形成第一遮罩层，其中第一遮罩层具有第一通孔，其一部分位于第一遮罩层的中心部分。在第一遮罩层上及第一通孔中形成第二遮罩层。图案化第二遮罩层，以形成位于第二遮罩层的中心部分与周围部分之间的开口，使得开口下方的第一通孔中的第二遮罩层被移除，其中第二遮罩层的中心部分覆盖第一通孔的部分，且中心部分被周围部分围绕。蚀刻第一通孔下方的介电堆叠，以形成第二通孔，其中底金属经由第二通孔而暴露。在第二通孔中及介电堆叠的顶表面上形

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112864154 A (43)申请公布日 2021.05.28 (21)申请号 20201

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