半导体器件及其制造方法.pdfVIP

  • 3
  • 0
  • 约7.35万字
  • 约 69页
  • 2023-06-08 发布于四川
  • 举报
一种半导体器件,包括:第一电极;第二电极;以及多层叠层,其包括位于第一电极和第二电极之间的四方晶体结构的氧化铪层,其中,该多层叠层包括:籽晶层,用于促进氧化铪层的四方结晶,并且具有四方晶体结构;增强层,用于增强氧化铪层的介电常数。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112864134 A (43)申请公布日 2021.05.28 (21)申请号 202010452675.5 (22)申请日 2020.05.26 (30)优先权数据 10-2019-0

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档