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薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板.pdfVIP

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  • 2023-06-08 发布于四川
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薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板.pdf

    本申请公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板，该薄膜晶体管，包括层叠设置的栅极、有源层和源漏极层，栅极与有源层、源漏极层绝缘设置，有源层包括层叠设置的第一有源层和第二有源层，第二有源层形成于第一有源层背离栅极的一侧；第一有源层和第二有源层均为金属氧化物半导体层，第一有源层中铟元素的元素比例大于第二有源层中铟元素的元素比例，第一有源层中镓元素的元素比例小于第二有源层中镓元素的元素比例。上述薄膜晶体管同时满足开态的高导电性和关态低关态电流，使得薄膜晶体管的性能大大提高，可以满足高精细面

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112864231 A (43)申请公布日 2021.05.28 (21)申请号 202110121034.6 H01L 27/12 (2006.01) (22)申请日 2

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