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- 2023-06-09 发布于四川
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本发明公开了一种阻变存储器及其制备方法,属于阻变存储器技术领域,解决了现有技术中器件高低阻态及多值存储的实际控制困难、工艺重复性差的问题。本发明阻变存储器包括依次设置的底电极、阻变层、插入层、Ti薄膜和顶电极;所述插入层形成一个阻变层氧空位向Ti薄膜扩散的势垒层。本发明可以实现可控的高低阻态和多值存储特性。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112909167 B
(45)授权公告日 2023.04.07
(21)申请号 202110266480.6 审查员 胡晓英
(22)申请日 2021.03.10
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