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本发明公开了LED芯片技术领域的一种新型双ITO导电层的高光效芯片，包括LED外延片、ITO导电层、CBL层和金属电极层，LED外延片包括N‑GaN层和位于N‑GaN层上方的P‑GaN层，ITO导电层位于P‑GaN层上方，CBL层被ITO导电层包覆，使电流通过CBL层下方ITO导电层导入因CBL层绝缘无法扩展的区域，这样电流既能够在CBL层的作用下达到分散均匀和提亮效果，也能够充分利用CBL层下的可发光面积，增加LED芯片的发光面积利用率，该双ITO导电层的高光效芯片的制作工艺简单，可解决现有工
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112909140 A
(43)申请公布日
2021.06.04
(21)申请号 20191
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