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一种氮化物半导体发光元件及其制作方法.pdfVIP

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  • 2023-06-09 发布于四川
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一种氮化物半导体发光元件及其制作方法.pdf

    本发明属于半导体领域，尤其涉及氮化物半导体发光元件及其制作方法，其中氮化物半导体发光元件包括N型半导体层、活性层和P型半导体层，活性层和P型半导体层之间具有空穴注入层以及第一电子阻挡层，第一电子阻挡层的一侧或者两侧可以具有铝组分高于第一电子阻挡层且厚度小于第一电子阻挡层的其他电子阻挡层，用于阻挡电子，提高发光元件的发光效率。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112909141 A (43)申请公布日 2021.06.04 (21)申请号 202110222164.9 (22)申请日 2021.02.28 (71)申请人 安徽三安光电有限公司

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