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本发明提供一种提升P管组件负偏压温度不稳定性的方法，提供衬底，在衬底上形成阱区；在衬底上表面形成栅氧层；在栅氧层上形成栅极多晶硅并且在栅极多晶硅两侧形成侧墙；在栅极多晶硅两侧的所述阱区形成源漏区；形成覆盖栅极多晶硅顶部、侧墙以及源漏区上表面的缓冲层；在栅极多晶硅两侧的阱区中注入N型离子，形成N型注入区；在N型注入区上方的阱区中注入P型离子，形成P型LDD区。本发明在N型注入前通过增加缓冲层,阻止N型离子中和P型LDD区中的P型离子，从而阻止该中和所引起的沟道增长，从而减少受破坏的Si‑H键量，提
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112908855 A
(43)申请公布日 2021.06.04
(21)申请号 202110115666.1
(22)申请日 2021.01.28
(71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司
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