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三维存储器及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-09 发布于四川
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三维存储器及其制备方法.pdf

    本申请提供了一种三维存储器及其制备方法。制备三维存储器的方法包括：在衬底上形成叠层结构，并形成贯穿叠层结构并延伸至衬底的栅线间隙；在栅线间隙中填充多晶硅层；以及对多晶硅层进行退火处理以消除多晶硅层的填充空洞。根据该制备方法，可使多晶硅层填充满栅极间隙，从而有效地降低晶圆形变。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112909016 B (45)授权公告日 2022.06.17 (21)申请号 202110313160.1 (56)对比文件

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