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- 2023-06-09 发布于四川
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本发明提供的一种半导体器件及其形成方法中，半导体器件的形成方法包括以下步骤：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底上形成阻挡层；形成浅沟槽结构；通过DSTICMP工艺平坦化处理所述浅沟槽结构；以及去除所述阻挡层。本发明通过DSTICMP工艺平坦化效果较现有技术中的STICMP工艺平坦化效果好，并没有在DSTICMP工艺中没有出现在研磨表面出现CMPdishing现象，使得STI凹陷的深度也较小，从而解决了由于STI凹陷区域的尖端电场集中引起的MOSFET器件较早开启的问题，即降低了MOSF
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112909079 A
(43)申请公布日 2021.06.04
(21)申请号 202110258183.7
(22)申请日 2021.03.09
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
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