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- 2023-06-09 发布于四川
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本发明涉及超导电子学技术领域,特别是涉及一种超导转变边探测器及其制备方法。本发明所提供的制备方法,先后在衬底上制备截止层、薄膜层、超导材料层、常态金属条和/或常态金属点、热沉件、吸收体等部件。本发明中,为缓解超导转变边沿出现扭折线的难题,在TES探测器超导薄膜上方生长常态金属条并适当增加一些常态金属点,同时为了降低制备探测器时的复杂度和解决超导体失超的问题,采用将吸收体与超导材料层(超导薄膜)直接接触的方式,并在制备超导薄膜时增加钼薄膜厚度,通过超导材料层的两个子层和吸收体三层薄膜来调控探测器的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113299819 A
(43)申请公布日 2021.08.24
(21)申请号 202110560045.4
(22)申请日 2021.05.21
(71)申请人 上海科技大学
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