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一种提高薄膜CMP抛光厚度均匀性的方法.pdfVIP

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  • 2023-06-09 发布于四川
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一种提高薄膜CMP抛光厚度均匀性的方法.pdf

    本发明涉及晶圆制造技术领域，本发明公开了一种提高薄膜CMP抛光厚度均匀性的方法。该抛光方法通过先对薄膜晶圆进行第一CMP抛光，使该薄膜晶圆形成中间薄边缘厚的状态，再对第一CMP抛光后的薄膜晶圆的边缘进行倒角，从而使得边缘区域晶圆整体厚度变小，能够改变晶圆在CMP背压气囊下方的受力分布，再对其进行第二CMP抛光，从而使该状态下边缘去除量大于中间部分去除量，与第一CMP抛光形成相互补偿，从而改善薄膜晶圆的厚度不均匀性。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113436960 A (43)申请公布日 2021.09.24 (21)申请号 202110524096.1 (22)申请日 2021.05.13 (71)申请人 上海新硅聚合半导体有限公司

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