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本发明公开了一种半导体晶片机械抛光加工系统及方法，其结构包括抓取机构、伺服器、控制面板、立柱、抛光基座、设备主体、固定地脚，固定地脚设有四个，且通过扣合方式安装于设备主体底部，设备主体顶部前端设有控制面板，立柱设有两个，且通过扣合方式安装于设备主体左右两侧。本发明抓取机构在切换不同直径大小的晶片加工时，通过调位组件控制定位机构内的负压疏通值，且能够分别转换负压外环与负压内环的单独吸附，实现了不同直径范围的外置吸孔变换，以便于根据不同大小的晶片进行局限调整，确保了吸附力度的平均，避免造成晶片变形损
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112894594 A
(43)申请公布日 2021.06.04
(21)申请号 202110069738.3
(22)申请日 2019.05.23
(62)分案原申请数据
2019104
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