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本发明提供一种用于控制非易失性存储器参数的控制方法，该控制方法包括：动态触发点限定步骤，在该动态触发点限定步骤中，设定动态触发点；更新用参数存储步骤，在该更新用参数存储步骤中，针对动态触发点中的每一个动态触发点,在特定的存储区域中存储更新用参数；标记单元限定步骤，在该标记单元限定步骤中，针对每个动态触发点，限定一个相对应的标记单元；以及参数更新步骤，在该参数更新步骤中，基于已经完成的擦除操作的总次数、每个动态触发点所对应的特定擦除操作次数以及相对应的标记单元的编程状态，来更新非易失性存储器的参数
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112908392 A
(43)申请公布日 2021.06.04
(21)申请号 202110178558.9
(22)申请日 2021.02.09
(71)申请人 东芯半导体股份有限公司
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