氮化物半导体基板的制造方法、氮化物半导体基板和层叠结构体.pdfVIP

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2023-06-09 发布于四川
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氮化物半导体基板的制造方法、氮化物半导体基板和层叠结构体.pdf

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本发明具有如下工序：准备基底基板的工序，所述基底基板由III族氮化物半导体的单晶形成；生长阻碍层形成工序，遍及基底基板的主面整体地在气相生长装置内直接形成生长阻碍层；第一工序，保持将形成有生长阻碍层的基底基板配置在气相生长装置内的状态，使用该气相生长装置，使具有露出(0001)面的顶面的III族氮化物半导体的单晶在基底基板的主面上通过生长阻碍层的开口部进行外延生长，以生长阻碍层为起因，使顶面产生由除了(0001)面之外的倾斜界面构成的多个凹部，使该倾斜界面随着向基底基板的主面的上方去而缓缓扩大，

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112930423 A (43)申请公布日 2021.06.08 (21)申请号 201980070419.5 (74)专利代理机构北京林达刘知识产权代理事

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