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    本申请涉及半导体器件。成像设备可包括单光子雪崩二极管(SPAD)。为了改善该SPAD的灵敏度和信噪比，可在该半导体衬底中形成光散射结构以增加入射光穿过半导体衬底的路径长度。为了减轻串扰，可在该SPAD周围的环中形成隔离结构。该隔离结构可以是具有吸收光的金属填料和反射光的低折射率填料两者的混合隔离结构。该隔离结构可形成为单个沟槽，或者可包括背侧深沟槽隔离部分和前侧深沟槽隔离部分。该隔离结构还可包含滤色材料。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112909034 A (43)申请公布日 2021.06.04 (21)申请号 202011347203.X (22)申请日 2020.11.26 (30)优先权数据

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