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本发明公开了一种宇航级集成电路总剂量屏蔽方法及抗辐照加固效果验证方法，属于集成电路技术领域。该方法包括以下步骤：(1)组装工艺设计，针对加固设计中最核心的耐受温度，开展芯片选型和粘片、键合、密封工艺设计；(2)外壳设计，从外形尺寸和外壳结构等方面开展总剂量屏蔽设计；(3)试验验证，对屏蔽加固后的电路进行可靠性试验和抗辐照试验，必要时重新优化外壳设计方案。本发明提出的集成电路总剂量屏蔽方法和抗辐照加固效果验证方法，通过这种方法可以优化屏蔽效果，达到宇航级器件的。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112967938 A
(43)申请公布日 2021.06.15
(21)申请号 202011587197.5
(22)申请日 2020.12.29
(71)申请人 中国
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