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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有待图形化材料层以及覆盖待图形化材料层的掩膜材料层，待图形化材料层用于形成目标图形；在掩膜材料层上形成核心层；在核心层的侧壁形成掩膜侧墙；对部分掩膜侧墙进行刻蚀处理，以去除核心层的任一侧壁的部分掩膜侧墙，露出核心层的部分侧壁；对部分所述掩膜侧墙进行刻蚀处理后，以剩余的核心层和掩膜侧墙为掩膜图形化掩膜材料层，形成掩膜层；以掩膜层为掩膜，图形化待图形化材料层，形成目标图形。本发明通过刻蚀的方式去除核心层的任一侧壁的部分掩膜侧墙，因此，掩膜
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112951724 A
(43)申请公布日
2021.06.11
(21)申请号 20191
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