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本发明提供一种分栅快闪存储器的制备方法，所述方法包括：提供一衬底，所述衬底上依次形成有浮栅层和硬掩模层。形成若干沟槽，所述沟槽依次贯穿所述硬掩模层以及所述浮栅层，并暴露部分所述衬底。对所述沟槽底部的衬底表层执行反型离子注入工艺，以在所述沟槽的底部形成势垒层。继续刻蚀所述沟槽底部的部分厚度的衬底，以使所述沟槽延伸至所述衬底内，且在所述沟槽外围保留部分所述势垒层。采用绝缘介质填充所述沟槽，以形成浅沟槽隔离结构。因此，本发明在填充所述沟槽之前，对所述沟槽执行反型离子注入工艺，以在所述沟槽的底部形成势垒
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112968000 A
(43)申请公布日 2021.06.15
(21)申请号 202110088460.4
(22)申请日 2021.01.22
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
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