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本发明公开一种氮化硅卡帽的制备方法，包括：S1,取氮化硅、氮化钛、烧结助剂、水，混合，制成浆料；S2,将制得的浆料喷雾、干燥，得到造粒粉；S3,再用造粒粉压制成卡帽素胚，再加工成型；S4,对加工成型的所述卡帽素胚进行脱胶处理，再放入高温条件下烧结，得到可导电的氮化硅卡帽。本发明还公开一种采用上述方法制备的氮化硅卡帽、以及含有所述氮化硅卡帽的多晶硅还原炉用硅芯固定组件。本发明的制备方法工艺简单，氮化硅卡帽强度高，可提高使用寿命，用于多晶硅还原炉可降低对多晶硅产品质量的影响。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112939609 A
(43)申请公布日
2021.06.11
(21)申请号 20191
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