一种基于侧墙工艺的纳米空气沟道晶体管及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-10 发布于四川
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一种基于侧墙工艺的纳米空气沟道晶体管及其制备方法.pdf

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本发明涉及一种基于侧墙工艺的纳米空气沟道晶体管及其制备方法，从下至上包括栅极及栅极绝缘层、保护层和用于形成侧墙结构的辅助层，还包括以侧墙结构作为硬掩模或牺牲层形成的纳米空气沟道。本发明具有高密度集成的潜力，有利于纳米空气沟道晶体管自身、或与其它类型器件的高密度集成；同时也具有规模化制造潜力，有利于降低生产成本、提高生产效率，具有实用价值和实际应用前景。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112951916 A (43)申请公布日 2021.06.11 (21)申请号 202110124217.3 (22)申请日 2021.01.29 (71)申请人中国