堆叠半导体装置中的混合金属结构及相关联系统和方法.pdfVIP

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2023-06-10 发布于四川
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堆叠半导体装置中的混合金属结构及相关联系统和方法.pdf

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本申请涉及堆叠半导体装置中的混合金属结构及相关联系统和方法。所述堆叠半导体装置可包含第一半导体裸片和第二半导体裸片。所述第一半导体裸片可包含顶部表面、所述顶部表面处的第一接合位点以及所述第一表面处的与所述第一接合位点间隔开的第二接合位点。所述第二半导体裸片可包含面向所述第一半导体裸片的所述顶部表面的下部表面、在所述下部表面处的第三接合位点，以及在所述下部表面处的第四接合位点。所述第三接合位点包含通过金属‑金属接合件接合到所述第一接合位点的导电结构。所述下部表面处的所述第四接合位点包含接合到所述第

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115714115 A (43)申请公布日 2023.02.24 (21)申请号 202210840630.4 H01L 21/60 (2023.01) (22)申请日 2022.07.