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一种高一致性的Micro LED芯片及其制作方法.pdfVIP

一种高一致性的Micro LED芯片及其制作方法.pdf

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    本发明涉及MicroLED芯片技术领域，公开了一种高一致性的MicroLED芯片，包括衬底和设于衬底上的GaN基外延片，GaN基外延片自下而上依次设有N型GaN层、发光量子阱层和P型GaN层，N型GaN层上镀设有N型电极层，P型GaN层上镀设有P型电极层，GaN基外延片设有多个纵横交错分布的隔离槽，隔离槽将GaN基外延片划分为多个矩阵阵列布置的发光单元，隔离槽位于N型GaN层的上方且裸露N型GaN层的顶面，隔离槽内的N型GaN层的裸露顶面镀设有与N型电极层一体成型的内置N型电极层，内置N型电

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112951966 A (43)申请公布日 2021.06.11 (21)申请号 202110278339.8 H01L 27/15 (2006.01) (22)申请日 2

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