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接合结构体、半导体装置及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-06-11 发布于四川
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接合结构体、半导体装置及其制造方法.pdf

    接合结构体，是在半导体元件与基板之间存在的接合结构体，其中，所述接合结构体包含：Sn相、含有1质量％以上且不到7质量％的P的Cu合金粒子、和Ag粒子，所述Cu合金粒子用Cu6Sn5层被覆，所述Ag粒子用Ag3Sn层被覆，所述Cu合金粒子与所述Ag粒子经由Cu10Sn3相至少部分地结合，相对于所述接合结构体，所述Cu合金粒子和所述Ag粒子的添加量的合计为25质量％以上且不到65质量％，所述Ag粒子的添加量与所述Cu合金粒子的添加量的质量比为0.2以上且不到1.2。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112997284 A (43)申请公布日 2021.06.18 (21)申请号 201880099193.7 (51)Int.Cl.

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