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间隙的形成方法.pdfVIP

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  • 2023-06-11 发布于四川
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间隙的形成方法.pdf

    一种间隙的形成方法，包括：步骤1，提供基底，所述基底上具有若干凸起的导电结构，相邻导电结构之间具有沟槽；步骤2，形成覆盖所述导电结构并填充所述沟槽的填充层；步骤3，刻蚀所述填充层，在所述沟槽中的填充层中形成开口；步骤4，在所述填充层上形成封闭所述开口的封闭层，在所述沟槽中的填充层中形成间隙。通过前述步骤的结合，在沟槽中的填充层中形成间隙时，能够较精确的控制形成的间隙位置和尺寸，从而能准确的减小特定位置的寄生电容，提高DRAM器件的性能。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112992774 B (45)授权公告日 2022.06.10 (21)申请号 201911213044.1 H01L 21/8242 (2006.01) (22)申请日 2019.

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