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2023-06-11 发布于四川
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本发明涉及一种探测器的集成结构及其方法。一种探测器的集成方法：在第一衬底上制作电子电路结构，然后在电子电路结构的表面形成第一介质层，获得衬底A；在第二衬底的表面由下至上依次形成锗缓冲层、堆叠本征层、P型掺杂锗层、第二介质层，获得衬底B；其中，所述堆叠本征层是由Ge1‑xSnx层和Ge1‑ySiy层交替重复堆叠n次而成，0＜x≤0.3，0＜y≤0.3，n≥1；将衬底A和衬底B键合；在键合后去除第二衬底、锗缓冲层，然后在堆叠本征层的表面形成N型掺杂锗层，再制作探测器结构；将电子电路结构和探测器结构互

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113013287 A (43)申请公布日 2021.06.22 (21)申请号 202110144207.6 H01L 27/144 (2006.01) (22)申请日

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