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根据本发明一观点的种基板处理方法,利用基板处理装置,基板处理装置包括:工艺腔室,在内部限定处理空间;基板支撑架,设置在工艺腔室以在上部安装基板;气体喷射部,在处理空间内向基板支撑架上供应工艺气体;远程等离子体发生器,连接于工艺腔室。所述基板处理方法包括如下的步骤:在基板支撑架上安装基板;通过远程等离子体发生器将表面处理气体连续供应于基板支撑架上的基板上;将吹扫气体连续供应于基板支撑架上的基板上;对远程等离子体发生器供应等离子电源,以激活表面处理气体来供应于基板上;及切断对远程等离子体发生器供应的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112992641 A
(43)申请公布日 2021.06.18
(21)申请号 202011388789.4
(22)申请日 2020.12.02
(30)优先权数据
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