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一种提高GaN HEMT界面质量的方法.pdfVIP

一种提高GaN HEMT界面质量的方法.pdf

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    本发明提供一种提高GaNHEMT界面质量的方法，包括如下步骤：外延生长；Si基GaN外延晶片清洗；光刻及对准标记形成；台面隔离；源、漏欧姆接触；钝化层沉积；栅槽刻蚀；紫外/O2处理；栅金属沉积；保护层沉积；开孔及金属互联。本发明采用有效波长为85％254nm和15％185nm紫外热阴极低压汞蒸汽灯，加上氧气对栅金属沉积前进行预处理生成Ga2O界面介质层，不仅具有低成本无污染的优势而且还有效提高了界面质量，有利于器件的产业化应用。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112993029 B (45)授权公告日 2022.04.01 (21)申请号 202110154226.7 H01L 21/335 (2006.01)

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