原创力文档- 1、本文档共13页，其中可免费阅读12页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
- 2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
- 3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明提供一种提高槽栅GaNMISFET器件可靠性的方法，包括如下步骤：外延生长；Si基GaN外延晶片清洗；光刻及对准标记形成；台面隔离；源、漏欧姆接触；钝化层沉积；栅槽刻蚀；表面处理形成GaOxN1‑x沟道；栅介质层沉积；栅金属沉积；保护层沉积；开孔及金属互联。本发明采用在槽栅的GaNMISHEMT结构里面抑制空穴诱导退化的方法，通过使用结晶的GaOxN1‑x的沟道层来抑制空穴诱导的退化，从而解决空穴诱导引起的阈值电压漂移问题，提高了器件的稳定性，有利于器件的产业化应用。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112993030 A
(43)申请公布日 2021.06.18
(21)申请号 202110155283.7 H01L 21/336 (2006.01)
(22)申请日
文档评论（0）