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提供横向n沟道LDMOS晶体管的改进结构以避免在晶体管工作期间发生的栅极‑氧化物破裂。LDMOS晶体管包括电介质隔离结构,该电介质隔离结构将包括寄生NPN晶体管的区域与由于弱影响电离而产生空穴电流的区域(即LDMOS晶体管的扩展漏极区域)物理隔离。根据本公开的实施方案,这可以使用两个区域之间的垂直沟槽来实现。还提出进一步的实施方案以使得减小寄生NPN晶体管的增益和减小背栅电阻,以便进一步提高LDMOS晶体管的鲁棒性。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112993038 A
(43)申请公布日 2021.06.18
(21)申请号 202011460085.3
(22)申请日 2020.12.11
(30)优先权数据
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