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本申请公开了一种可剥离氮化物结构，包括待剥离的支撑层以及在所述支撑层上依次形成的腐蚀牺牲层、腐蚀阻挡层和半导体器件本体，其中，所述支撑层为形成有微纳米柱阵列的衬底，或者所述支撑层包括衬底以及生长于所述衬底之上的氮化物模板层，所述氮化物模板层包含第一氮化物的微纳米柱阵列；所述腐蚀牺牲层为生长于微纳米柱阵列之上的连续的层结构，且包含掺杂的第二氮化物，所述腐蚀阻挡层包含掺杂的第三氮化物或非掺杂的第四氮化物，且掺杂的第三氮化物中的载流子浓度小于掺杂的第二氮化物中的载流子浓度。本申请的可剥离氮化物结构可以
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112993103 B
(45)授权公告日 2022.06.03
(21)申请号 202110172322.4 H01L 33/32 (2010.01)
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