一种Spiro-OMeTAD单斜晶体的制备方法.pdfVIP

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2023-06-11 发布于四川
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一种Spiro-OMeTAD单斜晶体的制备方法.pdf

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本发明公开了一种Spiro‑OMeTAD单斜晶体的制备方法，包括以下步骤：选取特殊的溶剂，采用反溶剂气相扩散辅助结晶法诱导Spiro‑OMeTAD结晶，在反溶剂逐渐挥发扩散的作用下，溶液逐渐饱和并伴随Spiro‑OMeTAD单斜晶体析出。通过本发明提供的方法制备出的Spiro‑OMeTAD单斜晶体，具有更高的空间对称性，通过导电性能测试发现其相比于三斜晶体具有更好的导电性能。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113005523 B (45)授权公告日 2021.11.23 (21)申请号 202110204809.6 CN 108560056 A,2018.09.21