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一种硅基横向PiN二极管的制备方法、器件及高集成隐身天线.pdfVIP

一种硅基横向PiN二极管的制备方法、器件及高集成隐身天线.pdf

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    本发明涉及一种硅基横向PiN二极管的制备方法、器件及高集成隐身天线，制备方法包括：选取GeOI衬底，并在GeOI衬底内掺杂形成顶层GeSn区；在衬底顶层GeSn区内设置深槽隔离区；刻蚀GeSn区形成P型沟槽和N型沟槽，P型沟槽和N型沟槽的深度小于顶层GeSn区的厚度；在P型沟槽和N型沟槽内生成多晶GaAs层，采用离子注入形成P型有源区和N型有源区；在衬底上形成GeSn合金引线，完成具有GaAs‑GeSn‑GaAs异质结构的硅基横向PiN二极管的制备。本发明通过动态控制顶层Ge中Sn的含量及

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112993053 A (43)申请公布日 2021.06.18 (21)申请号 202110177183.4 (22)申请日 2021.02.07 (71)申请人 中国

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