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2023-06-11 发布于四川
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本公开实施例提供一种半导体结构。其包括第一层间介电结构、导电接点、导电线路、导电盖层、第二层间介电结构、一对气隙及介电盖层。第一层间介电结构位于基板上，导电接点直接位于基板之上与第一层间介电结构之中，导电线路直接位于导电接点上，导电盖层位于导电线路上，使该导电盖层沿着导电线路的上表面连续延伸。第二层间介电结构位于导电盖层上。第二层间介电结构沿着导电线路的两侧，一对气隙位于第二层间介电结构中。导电线路在一对气隙之间横向分开。介电盖层沿着导电盖层的上表面。介电盖层在一对气隙之间横向分开，并横向偏离第

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112992856 A (43)申请公布日 2021.06.18 (21)申请号 202011263762.2 (22)申请日 2020.11.12 (30)优先权数据

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