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本申请涉及管理用于回流工艺的存储器装置的预编程。确定待存储在存储器装置的存储器单元处的逻辑状态，其中所述逻辑状态待由存储在所述存储器单元处的阈值电压表示。确定与所述逻辑状态相关联的验证参考电压。所述验证参考电压限定与所述逻辑状态相关联的所述阈值电压的目标电压电平。在将热量施加到所述存储器装置之后，使用针对所述存储器单元的所述阈值电压中的预期移位的补偿量来更新所述验证参考电压。在将所述热量施加到所述存储器装置之前，将多组多个编程脉冲施加到所述存储器单元直至符合阈值条件为止。所述阈值条件与所述存储器
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112992239 A
(43)申请公布日 2021.06.18
(21)申请号 202011471218.7
(22)申请日 2020.12.14
(30)优先权数据
16/714,36
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